Mendapatkan Manfaat Maksimum daripada Suhu untuk Proses Pembuatan CNT
Ketika kita ingin menghasilkan nanotube karbon, suhu memainkan peranan yang sangat penting. Namun, masalahnya adalah: jika kita hanya memanaskan wafer tersebut dan membiarkan tenaga panasnya bocor ke dinding ruangan, maka kita sebenarnya sedang membazirkan wang.
Itulah sebabnya kami menggunakan reflektor yang dilapisi emas. Kami ingin agar setiap titik tenaga inframerah tersebut sampai ke permukaan wafer, bukannya ke dinding ruangan.
Mengapa menggunakan emas?
Banyak sekali setup yang menggunakan aluminium yang telah dipolish. Walaupun ini merupakan cara yang biasa digunakan, tetapi aluminium menyerap terlalu banyak tenaga. Emas pula berbeza. Tujuannya bukan untuk membuat mesin kelihatan lebih mewah, tetapi untuk memastikan tenaga panas tersebut dapat difokuskan ke permukaan wafer. Permukaan emas akan memantulkan tenaga panas tersebut kembali ke wafer. Dengan cara ini, anda akan mendapat kepadatan haba yang lebih tinggi tanpa perlu meningkatkan kuasa elektrik yang digunakan. Ini jelas lebih efisien.
Mengatasi masalah kawasan sejuk
Bukan hanya bahan yang penting, tetapi juga bentuk reflektor tersebut. Kami membentuk reflektor tersebut agar tenaga panas dapat difokuskan dengan baik. Jika pengagihan tenaga tidak merata, maka akan timbul kawasan-kawasan sejuk. Kawasan sejuk ini akan menyebabkan pertumbuhan CNT yang tidak merata. Anda akan melihat bahawa ada kawasan di mana kepadatan nanotube karbonnya tinggi, sementara kawasan lainnya hampir kosong. Ini tentunya bukanlah situasi yang ideal.
Namun, ada satu masalah: emas sangat mahal, dan lapisannya sangat tipis. Berhati-hatilah ketika menggunakan reflektor ini. Jika anda menggunakan alat penggosok yang kasar, permukaan emas akan tercalar. Setelah itu, tenaga panas akan tersebar, dan keeffisienan proses pembuatan CNT akan menurun. Gunakan alat yang lembut untuk membersihkan permukaan reflektor tersebut.
Menggabungkan semuanya
Ketika anda menyambungkan komponen-komponen ini, fokuslah pada “wattage yang efektif”. Kerana tenaga panas yang dihasilkan sangat terfokus, sumber tenaga sebesar 1kW sebenarnya boleh memberikan kesan seperti sumber tenaga sebesar 1.5kW pada suhu permukaan. Ini merupakan peningkatan yang besar. Perlu diingat bahawa anda perlu menyesuaikan parameter PID controller anda. Jika anda tidak mempertimbangkan faktor efisiensi ini, suhu permukaan wafer mungkin akan melebihi batas yang ditetapkan, sehingga substrat tersebut akan rosak.